Zorluk Dağılımı
Konular (10)
Dalga Mekaniği
Kuantum Fiziği
Harmonik Hareket
Çembersel Hareket
Özel Görelilik
Teknoloji
Modern Fizik
Kütle Çekimi
Dönme Hareketi
Düzgün Çembersel Hareket
Örnek Sorular
Nanoteknolojide 'Kuantum Hapsetme Etkisi' (Quantum Confinement Effect), bir malzemenin boyutu 'Eksiton Bohr Yarıçapı'na yaklaştığında veya altına indiğinde enerji seviyelerinin süreklilikten ayrık hale gelmesi durumudur. Bu durum özellikle yarı iletken kuantum noktalarında (quantum dots) belirgindir. Bir araştırmacı, yarıçapı olan küresel bir kuantum noktasının enerji bant aralığının (), dökme (bulk) malzemenin bant aralığından () ne kadar saptığını incelemektedir.nnSentezlenen nanokristallerin boyutu küçüldükçe meydana gelen değişimlerle ilgili;nnI. Malzemenin yüzey alanı / hacim oranı arttığı için yüzeydeki atomların koordinasyon sayısı azalır ve kimyasal reaktivite artar.nII. Kuantum hapsinden dolayı elektronların enerji seviyeleri arasındaki fark büyür, bu da nanokristalin soğurduğu ışığın dalga boyunun kısalmasına (maviye kayma) neden olur.nIII. Kuantum noktalarının emisyon spektrumu, sadece malzemenin cinsine bağlı olup boyuttan bağımsızdır.nnyargılarından hangileri kuantum mekaniği ve nanoteknoloji prensipleriyle uyuşur?
Yalnız I
Yalnız II
I ve II
II ve III
I, II ve III
Yarı iletken bir kristal örneğinin elektriksel özdirencinin () sıcaklığa () bağlı değişim grafiği aşağıda verilmiştir. Kristal, oda sıcaklığında () belirli bir tip (n-ti\pi veya p-ti\pi) katkılama içermektedir. Grafikteki üç farklı bölge (I, II, III); dondurma (freeze-out), ekstrinsik (katkı baskın) ve intrinsik (öz) bölgeleri temsil etmektedir.nnBuna göre, kristalin davranışıyla ilgili yapılan aşağıdaki çıkarımlardan hangisi doğrudur?
III. bölgede sıcaklık arttıkça özdirencin artmasının temel nedeni, örgü titreşimlerinin (fononlar) yük taşıyıcılarının hareketliliğini (mobilite) kısıtlamasıdır.
II. bölge 'intrinsik' bölge olup, bu aralıkta iletkenlik sadece valans bandından iletim bandına geçen elektronlar tarafından belirlenir.
I. bölgede sıcaklık arttıkça özdirencin azalması, katkı atomlarının iyonize olmaya başlamasıyla (taşıyıcı yoğunluğunun artması) açıklanır.
Kristaldeki katkı konsantrasyonu artırılırsa, II. bölgenin genişliği azalır ve III. bölge daha düşük sıcaklıklarda başlar.
III. bölge 'dondurma' bölgesidir ve bu bölgede yük taşıyıcıları atomik safsızlıklara hapsolmuş durumdadır.
Bir laboratuvar ortamında üç enerji seviyeli bir lazer sistemi tasarlanmaktadır. Sistemin temel enerji seviyesi , yarı kararlı (metastable) seviyesi ve pompalama seviyesi olarak belirlenmiştir. Lazer ışınımı geçişiyle elde edilmektedir. Aşağıdaki tabloda bu seviyeler arasındaki geçiş hızları () ve kendiliğinden emisyon süreleri () verilmiştir. Tersine birikimin (population inversion) sağlanabilmesi ve lazerin sürekli rejimde (CW) çalışabilmesi için sistemin parametreleri analiz edilmektedir.nnBuna göre, sistemin verimli bir lazer kaynağı olarak çalışabilmesi için aşağıdaki yargılardan hangisi fiziksel olarak en kritik ve doğrudur?
süresi süresinden çok daha büyük olmalıdır ki seviyesinde atomlar daha uzun süre kalsın.
Pompalama hızı , seviyesindeki boşalma hızı olan değerinden küçük olduğu sürece lazer salınımı gerçekleşmez.
Sürekli rejimde tersine birikimin gerçekleşmesi için atomların seviyesindeki ortalama ömrü (), seviyesinden seviyesine geçiş süresinden () çok daha uzun olmalıdır.
Sistemin eşik değerini düşürmek için ve seviyeleri arasındaki enerji farkı, termal enerji olan değerinden çok daha küçük seçilmelidir.
Uyarılmış emisyonun (stimulated emission) baskın gelmesi için sistemin sıcaklığı mutlak sıfıra yaklaştırılmalı, böylece kendiliğinden emisyon tamamen durdurulmalıdır.
Yarı iletken teknolojisinde malzemelerin enerji bant aralığı (Eg), cihazın optik ve elektriksel özelliklerini belirleyen en kritik parametredir. Aşağıdaki tabloda üç farklı yarı iletken malzemenin 300K sıcaklıktaki bazı karakteristik özellikleri verilmiştir. Bu verilere dayanarak yapılan teknolojik analizlerden hangisi yanlıştır? (Planck sabiti h ve ışık hızı c çarpımı yaklaşık 1240 eV·nm olarak alınacaktır.)
Malzeme K, kızılötesi (IR) bölgede ışık yayan diyotların (LED) yapımında kullanılabilir.
Malzeme M ile üretilen bir fotodiyot, görünür bölgedeki (400-700 nm) tüm fotonları soğurarak akım oluşturabilir.
Malzeme L'nin saf kristaline 5. grup elementi (örneğin Fosfor) eklendiğinde n-ti\pi bir yarı iletken elde edilir.
Sıcaklık artırıldığında her üç malzemenin de elektriksel iletkenliğinin artması beklenir.
Malzeme L kullanılarak üretilen bir güneş paneli, Malzeme K'ye göre daha dar bir spektrumdaki fotonları elektrik enerjisine dönüştürebilir.
Şekildeki düzenekte, düzgün B manyetik alanına dik olarak giren q yüklü ve m kütleli bir parçacık, R yarıçaplı dairesel bir yörünge izlemektedir. Bu parçacığa eşlik eden De Broglie dalga boyu λ olduğuna göre; parçacığın momentumu, manyetik alan şiddeti ve yörünge yarıçapı arasındaki ilişkiyi sentezleyen bir araştırmacı için aşağıdaki ifadelerden hangisi λ değerini veren en genel ifadedir?
λ = h / (qBR)
λ = (qBR) / h
λ = hq / (BR)
λ = hB / (qR)
λ = √(h / qBR)