12. Sınıf Fizik

YKSTurbo

MEB müfredatına uygun 551 soru

Hemen Çöz
Fizik - Tüm Sınıflara Dön

Zorluk Dağılımı

Kolay
156
soru
Orta
153
soru
Zor
42
soru
Efsane
200
soru

Konular (10)

Dalga Mekaniği

91 soru

Kuantum Fiziği

68 soru

Harmonik Hareket

67 soru

Çembersel Hareket

66 soru

Özel Görelilik

63 soru

Teknoloji

62 soru

Modern Fizik

34 soru

Kütle Çekimi

34 soru

Dönme Hareketi

33 soru

Düzgün Çembersel Hareket

33 soru

Örnek Sorular

Soru 1Efsane
Detaylı Gör

Nanoteknolojide 'Kuantum Hapsetme Etkisi' (Quantum Confinement Effect), bir malzemenin boyutu 'Eksiton Bohr Yarıçapı'na yaklaştığında veya altına indiğinde enerji seviyelerinin süreklilikten ayrık hale gelmesi durumudur. Bu durum özellikle yarı iletken kuantum noktalarında (quantum dots) belirgindir. Bir araştırmacı, yarıçapı RR olan küresel bir kuantum noktasının enerji bant aralığının (Eg,dotE_{g,dot}), dökme (bulk) malzemenin bant aralığından (Eg,bulkE_{g,bulk}) ne kadar saptığını incelemektedir.nnSentezlenen nanokristallerin boyutu küçüldükçe meydana gelen değişimlerle ilgili;nnI. Malzemenin yüzey alanı / hacim oranı arttığı için yüzeydeki atomların koordinasyon sayısı azalır ve kimyasal reaktivite artar.nII. Kuantum hapsinden dolayı elektronların enerji seviyeleri arasındaki fark büyür, bu da nanokristalin soğurduğu ışığın dalga boyunun kısalmasına (maviye kayma) neden olur.nIII. Kuantum noktalarının emisyon spektrumu, sadece malzemenin cinsine bağlı olup boyuttan bağımsızdır.nnyargılarından hangileri kuantum mekaniği ve nanoteknoloji prensipleriyle uyuşur?

A

Yalnız I

B

Yalnız II

C

I ve II

D

II ve III

E

I, II ve III

Soru 2Efsane
Detaylı Gör

Yarı iletken bir kristal örneğinin elektriksel özdirencinin (rhorho) sıcaklığa (TT) bağlı değişim grafiği aşağıda verilmiştir. Kristal, oda sıcaklığında (TodaT_{oda}) belirli bir tip (n-ti\pi veya p-ti\pi) katkılama içermektedir. Grafikteki üç farklı bölge (I, II, III); dondurma (freeze-out), ekstrinsik (katkı baskın) ve intrinsik (öz) bölgeleri temsil etmektedir.nnBuna göre, kristalin davranışıyla ilgili yapılan aşağıdaki çıkarımlardan hangisi doğrudur?

A

III. bölgede sıcaklık arttıkça özdirencin artmasının temel nedeni, örgü titreşimlerinin (fononlar) yük taşıyıcılarının hareketliliğini (mobilite) kısıtlamasıdır.

B

II. bölge 'intrinsik' bölge olup, bu aralıkta iletkenlik sadece valans bandından iletim bandına geçen elektronlar tarafından belirlenir.

C

I. bölgede sıcaklık arttıkça özdirencin azalması, katkı atomlarının iyonize olmaya başlamasıyla (taşıyıcı yoğunluğunun artması) açıklanır.

D

Kristaldeki katkı konsantrasyonu artırılırsa, II. bölgenin genişliği azalır ve III. bölge daha düşük sıcaklıklarda başlar.

E

III. bölge 'dondurma' bölgesidir ve bu bölgede yük taşıyıcıları atomik safsızlıklara hapsolmuş durumdadır.

Soru 3Efsane
Detaylı Gör

Bir laboratuvar ortamında üç enerji seviyeli bir lazer sistemi tasarlanmaktadır. Sistemin temel enerji seviyesi E1E_1, yarı kararlı (metastable) seviyesi E2E_2 ve pompalama seviyesi E3E_3 olarak belirlenmiştir. Lazer ışınımı E2r˚E1E_2 r\r\rightarrow E_1 geçişiyle elde edilmektedir. Aşağıdaki tabloda bu seviyeler arasındaki geçiş hızları (WijW_{ij}) ve kendiliğinden emisyon süreleri (tauijtau_{ij}) verilmiştir. Tersine birikimin (population inversion) sağlanabilmesi ve lazerin sürekli rejimde (CW) çalışabilmesi için sistemin parametreleri analiz edilmektedir.nnBuna göre, sistemin verimli bir lazer kaynağı olarak çalışabilmesi için aşağıdaki yargılardan hangisi fiziksel olarak en kritik ve doğrudur?

A

tau32tau_{32} süresi tau21tau_{21} süresinden çok daha büyük olmalıdır ki E3E_3 seviyesinde atomlar daha uzun süre kalsın.

B

Pompalama hızı W13W_{13}, E2E_2 seviyesindeki boşalma hızı olan 1/tau211/tau_{21} değerinden küçük olduğu sürece lazer salınımı gerçekleşmez.

C

Sürekli rejimde tersine birikimin gerçekleşmesi için atomların E2E_2 seviyesindeki ortalama ömrü (tau21tau_{21}), E3E_3 seviyesinden E2E_2 seviyesine geçiş süresinden (tau32tau_{32}) çok daha uzun olmalıdır.

D

Sistemin eşik değerini düşürmek için E1E_1 ve E2E_2 seviyeleri arasındaki enerji farkı, termal enerji olan kTkT değerinden çok daha küçük seçilmelidir.

E

Uyarılmış emisyonun (stimulated emission) baskın gelmesi için sistemin sıcaklığı mutlak sıfıra yaklaştırılmalı, böylece kendiliğinden emisyon tamamen durdurulmalıdır.

Soru 4Zor
Detaylı Gör

Yarı iletken teknolojisinde malzemelerin enerji bant aralığı (Eg), cihazın optik ve elektriksel özelliklerini belirleyen en kritik parametredir. Aşağıdaki tabloda üç farklı yarı iletken malzemenin 300K sıcaklıktaki bazı karakteristik özellikleri verilmiştir. Bu verilere dayanarak yapılan teknolojik analizlerden hangisi yanlıştır? (Planck sabiti h ve ışık hızı c çarpımı yaklaşık 1240 eV·nm olarak alınacaktır.)

A

Malzeme K, kızılötesi (IR) bölgede ışık yayan diyotların (LED) yapımında kullanılabilir.

B

Malzeme M ile üretilen bir fotodiyot, görünür bölgedeki (400-700 nm) tüm fotonları soğurarak akım oluşturabilir.

C

Malzeme L'nin saf kristaline 5. grup elementi (örneğin Fosfor) eklendiğinde n-ti\pi bir yarı iletken elde edilir.

D

Sıcaklık artırıldığında her üç malzemenin de elektriksel iletkenliğinin artması beklenir.

E

Malzeme L kullanılarak üretilen bir güneş paneli, Malzeme K'ye göre daha dar bir spektrumdaki fotonları elektrik enerjisine dönüştürebilir.

Soru 5Efsane
Detaylı Gör

Şekildeki düzenekte, düzgün B manyetik alanına dik olarak giren q yüklü ve m kütleli bir parçacık, R yarıçaplı dairesel bir yörünge izlemektedir. Bu parçacığa eşlik eden De Broglie dalga boyu λ olduğuna göre; parçacığın momentumu, manyetik alan şiddeti ve yörünge yarıçapı arasındaki ilişkiyi sentezleyen bir araştırmacı için aşağıdaki ifadelerden hangisi λ değerini veren en genel ifadedir?

A

λ = h / (qBR)

B

λ = (qBR) / h

C

λ = hq / (BR)

D

λ = hB / (qR)

E

λ = √(h / qBR)

İlgili Sayfalar